二氧化硅拋光液

該拋光液被廣泛應用于半導體材料如硅片，鍺單晶片，砷化鎵晶片，硬盤玻璃，藍寶石晶片，氮化硅晶片的(CMP)化學表面拋光工藝，具去除速率高、使用方便、 拋光效果好等特點。拋光后晶片表面的粗糙度可以達到0.2nm以下，同時可以提高晶片的粗糙度和平行度等，而且無劃傷，無拋光霧。

　　形 狀： 本產(chǎn)品屬乳白膠體水溶液，無毒、無臭

　　產(chǎn)品特點：1.去除效率高：可達到0.9-1.2nm/min，降低拋光工藝所需要的時間，提高生產(chǎn) 效率，循環(huán)使用，稀釋比例大。2.使用方便：本拋光液適用于通用的拋光工藝。3.拋光效果好：拋光表面粗糙度好無劃傷，不會出現(xiàn)拋光霧。

　　二氧化硅拋光液的組分：拋光粉、水、酸、無機鹽、其他。適合半導體材質(zhì)工件拋光用。

（圖一：部分添加試劑）

（圖二：拋光粉）

　   一般來說，工件要實現(xiàn)鏡面效果，基本上都是要經(jīng)過粗拋、精拋和拋光這三道工序的。如果工件本身具有一定的精度，則可以省略粗拋工序。

　　粗拋：去除毛坯的大部分余量，最后所達到的效果要保持到大致的幾何形狀與粗糙度。

　　精拋：粗拋完成后的下一個工序就是精拋，結果是能夠保持最精確的幾何形狀以及精細的裂紋深度。

　　拋光：工件通過了粗拋、精拋工藝后，進入拋光工序;也是最終實現(xiàn)光學表面層實現(xiàn)的最后一個部分，前提下前兩者必須要為最后一步拋光做好準備，使得在整個拋光過程當中，盡量去除粗拋與精拋所留下的破環(huán)層，實現(xiàn)光學表面最理想鏡面效果。

　　由于這三種工序不同，所用的研磨液也不一樣

　　1.粗拋選擇的耗材是：粗拋液，粗磨盤(鑄鐵盤)。這兩種耗材的成分里面，主成分的材質(zhì)稍微較粗，要求硬度較高，顆粒度較大，這樣才有較好的切削力。

　　2.精拋選擇的耗材是：精拋液，精磨盤(錫盤)。這兩種耗材相對要求要高一點，需要材質(zhì)更為精細，顆粒非常小的原材料生產(chǎn)。

　　3.拋光選擇的耗材是：拋光液，拋光盤(銅盤)。這個耗材要求最高，對精細度有著非常嚴格的標準。一般是采用納米級顆粒度的原材料配置液體。也通常用的是微米級的金屬顆粒鍛造而成。

　　選擇艾姆克，保證拋光效果

　   一般來說，研磨液都是以客戶工件的材質(zhì)和要達到的效果來配置的。在交貨前，工程師會依據(jù)客戶提供的工件試樣，除了要達到客戶拋光要求，還要實現(xiàn)高良率、高效率、低成本原則。交貨后，提供詳細的使用方法，并有工程師上門指導，保證拋光效果。

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